欢迎光临四川六方钰成电子科技有限公司官网!
服务热线:0838-6688801
新闻资讯
NEWS
您现在的位置:
首页
/
/
技术支持
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一,适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。
单层芯片电容的制备方法
单层芯片电容的制备方法
单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面,具有量大面广的特点。
​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW
​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW
采用BiCDMOS高耐压工艺,在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中,实现了业内超高的80V耐压等级,从而可以使安全工作范围更宽。  与同等输出电流的普通产品相比,耐压成功地提高了约20%,不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中,而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中,都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压,因此有助于提高应用产品的
上一页
1
2

更多资讯

上一页
1
2
...
8

页脚联系我们

发布时间:2020-12-07 18:30:37

四川六方钰成电子科技有限公司

公司地址:四川省绵竹市高新区江苏工业园南通路7号

产品研发中心地址:四川省成都市金牛区蜀西路52号珠宝中心2栋B座217室

华东片区销售经理: 13398482528(朱女士)

华南片区销售经理: 18086848149(罗先生)

西南片区销售经理: 19181076801(李先生)

版权所有:四川六方钰成电子科技有限公司   蜀ICP备19040841号-1