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高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
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碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一,适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。
单层芯片电容的制备方法
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单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面,具有量大面广的特点。
​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW
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采用BiCDMOS高耐压工艺,在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中,实现了业内超高的80V耐压等级,从而可以使安全工作范围更宽。  与同等输出电流的普通产品相比,耐压成功地提高了约20%,不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中,而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中,都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压,因此有助于提高应用产品的
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2023年2月16日下午,四川六方钰成电子科技有限公司参加了由德阳市在成都举办的第二届“科创会”市州重点科创项目推介洽谈专场路演活动,在本次路演活动中,我司与***客户正式签约。
2023-02-17
第五届“中国创翼”创业创新大赛四川赛区选拔赛

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2022-07-15
​刘志辉博士:99.6%氧化铝基板及薄膜金属化(报告)

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6月28-30日在郑州举办的“2022年全国氧化铝粉体与制品创新发展论坛(第六届)”,粉体圈邀请了来自四川六方钰成电子科技有限公司的技术总监刘志辉博士,为大家带来报告“99.6%氧化铝基板及薄膜金属化”,报告将分享六方钰成在99.6%氧化铝基板制造及薄膜金属化的研发生产上沉淀多年的经验
2022-07-13
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发布时间:2020-12-07 18:30:37

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