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99.6%氧化铝陶瓷基板
99.6%氧化铝陶瓷基板
◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
氮化铝基板
氮化铝基板
◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
99.6%氧化铝陶瓷基板
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◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
99.6%氧化铝陶瓷基板
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◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
氮化铝生瓷带
氮化铝生瓷带
氧化铝白瓷
氧化铝白瓷
氧化铝黑瓷
氧化铝黑瓷
氮化铝基板
氮化铝基板
◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
企业介绍
企业介绍

Growth process

发展历程

  • 2019年5月成立，注册资金3369万元
  • 2020年1月14日，装修完成
  • 2020年6月，投产

 

新闻中心

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“樱你而聚，同心同行”——公司2025年春季团建活动圆满举行

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大学毕业生到司学习，开启科技探索之旅

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新闻中心 发布时间 : 2024-12-29 15:40:58
社会责任

技术支持

08-20

高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述

碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一，适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。
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08-20

单层芯片电容的制备方法

单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面，具有量大面广的特点。
单层芯片电容的制备方法
08-05

​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW

采用BiCDMOS高耐压工艺，在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中，实现了业内超高的80V耐压等级，从而可以使安全工作范围更宽。　　与同等输出电流的普通产品相比，耐压成功地提高了约20%，不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中，而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中，都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压，因此有助于提高应用产品的
​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW
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发布时间：2020-12-07 18:30:37

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