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99.6%氧化铝陶瓷基板
99.6%氧化铝陶瓷基板
◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
氮化铝基板
氮化铝基板
◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
99.6%氧化铝陶瓷基板
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◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
99.6%氧化铝陶瓷基板
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◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
氮化铝生瓷带
氮化铝生瓷带
氧化铝白瓷
氧化铝白瓷
氧化铝黑瓷
氧化铝黑瓷
氮化铝基板
氮化铝基板
◎薄膜电路用陶瓷基片　　1、物性指标　　2、基片尺寸　　基片典型尺寸：　　3、基片厚度　　基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。　　4、技术等级
企业介绍
企业介绍

Growth process

发展历程

  • 2019年5月成立，注册资金3032万元
  • 2020年1月14日，装修完成
  • 2020年6月，投产

 

新闻中心

新闻中心

高性能电子陶瓷材料及薄膜电路设计交流会

高性能电子陶瓷材料及薄膜电路设计交流会

新闻中心 发布时间 : 2023-03-13 16:33:36
第二届“科创会”市州重点科创项目推介洽谈专场路演活动

第二届“科创会”市州重点科创项目推介洽谈专场路演活动

新闻中心 发布时间 : 2023-02-17 13:48:26
2023年2月16日下午，四川六方钰成电子科技有限公司参加了由德阳市在成都举办的第二届“科创会”市州重点科创项目推介洽谈专场路演活动，在本次路演活动中，我司与***客户正式签约。
社会责任

技术支持

08-20

高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述

碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一，适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
08-20

单层芯片电容的制备方法

单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面，具有量大面广的特点。
单层芯片电容的制备方法
08-05

​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW

采用BiCDMOS高耐压工艺，在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中，实现了业内超高的80V耐压等级，从而可以使安全工作范围更宽。　　与同等输出电流的普通产品相比，耐压成功地提高了约20%，不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中，而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中，都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压，因此有助于提高应用产品的
​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW
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发布时间：2020-12-07 18:30:37

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华东片区销售经理: 13398482528（朱女士）

华南片区销售经理: 18086848149（罗先生）

西南片区销售经理: 19181076801（李先生）

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