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 99.6%氧化铝陶瓷基板
99.6%氧化铝陶瓷基板
◎薄膜电路用陶瓷基片  1、物性指标  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。  4、技术等级
 氮化铝基板
氮化铝基板
◎薄膜电路用陶瓷基片  1、物性指标  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。  4、技术等级
 99.6%氧化铝陶瓷基板
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◎薄膜电路用陶瓷基片  1、物性指标  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。  4、技术等级
 99.6%氧化铝陶瓷基板
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◎薄膜电路用陶瓷基片  1、物性指标  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。  4、技术等级
 氮化铝生瓷带
氮化铝生瓷带
 氧化铝白瓷
氧化铝白瓷
 氧化铝黑瓷
氧化铝黑瓷
 氮化铝基板
氮化铝基板
◎薄膜电路用陶瓷基片  1、物性指标  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度为0.254、0.381、0.508、0.635。即烧基片厚度公差为±10%。  4、技术等级
企业介绍
企业介绍

Growth process

发展历程

  • 2019年5月成立,注册资金3032万元
  • 2020年1月14日,装修完成
  • 2020年6月,投产

 

新闻中心

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社会责任

技术支持

08-20

高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述

碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一,适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。
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单层芯片电容的制备方法

单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面,具有量大面广的特点。
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​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW

采用BiCDMOS高耐压工艺,在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中,实现了业内超高的80V耐压等级,从而可以使安全工作范围更宽。  与同等输出电流的普通产品相比,耐压成功地提高了约20%,不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中,而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中,都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压,因此有助于提高应用产品的

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发布时间:2020-12-07 18:30:37

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