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薄膜技术在T/R组件中应用实例

薄膜技术在T/R组件中应用实例

  • 分类:行业新闻
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  • 来源:
  • 发布时间:2021-08-20
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【概要描述】RCA实验室在1985年报道了在高导热陶瓷BeO基板上采用薄膜工艺制造的T/R组件(3),尺寸为7.0cm×9.0cm×1.6cm,工作频率16.0~16.5GHz,峰值功率3.9~4.4 W,电压调谐范围2.5~2.9,噪声系数5dB。

薄膜技术在T/R组件中应用实例

【概要描述】RCA实验室在1985年报道了在高导热陶瓷BeO基板上采用薄膜工艺制造的T/R组件(3),尺寸为7.0cm×9.0cm×1.6cm,工作频率16.0~16.5GHz,峰值功率3.9~4.4 W,电压调谐范围2.5~2.9,噪声系数5dB。

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     RCA实验室在1985年报道了在高导热陶瓷BeO基板上采用薄膜工艺制造的T/R组件(3),尺寸为7.0cm×9.0cm×1.6cm,工作频率16.0~16.5GHz,峰值功率3.9~4.4 W,电压调谐范围2.5~2.9,噪声系数5dB。

  在半导体硅材料上,采用薄膜多层技术制造T/R组件的优点是可以和半导体技术兼容,可以集成有源芯片、无源器件,组件可以做的很小、并且能够大批量生产;缺点是由于硅材料导热率低,在需要高功率或高Q值的场合,高导热的氮化铝、氧化铍陶瓷更有优势。图5是美国辛西纳底大学研制的薄膜多层发射模块示意图,它是在硅基片上,用Dupont公司的聚酰亚胺做介质(每层介质厚度9~15μm),用Ti-Au-Ti或Cr-Au-Cr做导带(Au厚度2~3μm),制作的4层金属、3层介质的多层互连结构。

  传统的在陶瓷基板实施薄膜工艺相比,薄膜技术在T/R组件的应用有两个明显的新的趋势,一是,在高导热的金属、合金、复合材料( Al/SiC)上采用多层薄膜工艺,制造T/R组件,提高了组件耐功率性能,并且利于封装;还可根据设计需要把芯片贴装在表面的凹腔内,减短了金丝键合的长度或者不用键合,减小了或克服了寄生效应,改善组件性能;二是在其他多层基板(如HTCC或LTCC)上,实施薄膜工艺制造T/R组件,充分发挥HTCC或LTCC易实现多层及埋置无源器件的优点以及薄膜工艺高精度、低损耗的优点,对减小T/R组件基板尺寸、改善组件的电性能和热性能有重要意义。

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发布时间:2020-12-07 18:30:37

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