RCA实验室在1985年报道了在高导热陶瓷BeO基板上采用薄膜工艺制造的T/R组件(3)，尺寸为7.0cm×9.0cm×1.6cm，工作频率16.0~16.5GHz，峰值功率3.9~4.4 W，电压调谐范围2.5~2.9，噪声系数5dB。

　　在半导体硅材料上，采用薄膜多层技术制造T/R组件的优点是可以和半导体技术兼容，可以集成有源芯片、无源器件，组件可以做的很小、并且能够大批量生产;缺点是由于硅材料导热率低，在需要高功率或高Q值的场合，高导热的氮化铝、氧化铍陶瓷更有优势。图5是美国辛西纳底大学研制的薄膜多层发射模块示意图，它是在硅基片上，用Dupont公司的聚酰亚胺做介质(每层介质厚度9~15μm)，用Ti-Au-Ti或Cr-Au-Cr做导带(Au厚度2~3μm)，制作的4层金属、3层介质的多层互连结构。

　　传统的在陶瓷基板实施薄膜工艺相比，薄膜技术在T/R组件的应用有两个明显的新的趋势，一是，在高导热的金属、合金、复合材料( Al/SiC)上采用多层薄膜工艺，制造T/R组件，提高了组件耐功率性能，并且利于封装;还可根据设计需要把芯片贴装在表面的凹腔内，减短了金丝键合的长度或者不用键合，减小了或克服了寄生效应，改善组件性能;二是在其他多层基板(如HTCC或LTCC)上，实施薄膜工艺制造T/R组件，充分发挥HTCC或LTCC易实现多层及埋置无源器件的优点以及薄膜工艺高精度、低损耗的优点，对减小T/R组件基板尺寸、改善组件的电性能和热性能有重要意义。