新产品是非隔离型*3DC/DC转换器IC，利用ROHM擅长的模拟设计技术开发而成，采用电源系统的BiCDMOS高耐压工艺，可提供先进工业设备所需的电源功能。

　　通过调整振荡频率以抑制特定频率(如2.2MHz或以上)产生的噪音波峰的技术。

　　InnoSwitch4-CZ IC提供输出恒压恒流点可调的输出特性，非常适合于高效紧凑型USB-PD适配器、高达110W的高功率密度反激设计以及高效的恒压/恒流电源应用。

　　在输出出现过压、欠压的情况下，新器件会进入自动重启动或锁存状态的故障保护模式。

　　制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 配置:Dual 晶体管极性:PNP 典型输入电阻器:10 kOhms 典型电阻器比率:1 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UMT-6 直流集电极/Base Gain hfe Min:20 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 50 V 集电极连续电流:- 100 mA 峰值直流集电极电流:100 mA Pd-功率耗散:150 mW 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:30 高度:0.9 mm 长度:2 mm 宽度:1.25 mm 商标:ROHM Semiconductor 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工厂包装数量3000 子类别:Transistors 零件号别名:UMB11N 单位重量:32 mg

　　BD9G500EFJ-LA不仅具有80V的高耐压性能，而且还实现了在耐压60V以上的DC/DC转换器IC中超高的5A最大输出电流。

　　通过安装AI和IoT功能来提高性能的工业设备，以及配备更多功能的设备的小型化。

　　通过内置低损耗MOSFET，虽为非同步整流，却仍可在2A至5A很宽的输出电流范围内实现高达85%的功率转换效率，更加节能。

　　SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，从而降低导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。