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​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW

所属分类： 技术资源

发布时间： 2021-08-05

概要： 采用BiCDMOS高耐压工艺，在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中，实现了业内超高的80V耐压等级，从而可以使安全工作范围更宽。　　与同等输出电流的普通产品相比，耐压成功地提高了约20%，不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中，而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中，都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压，因此有助于提高应用产品的

　　采用BiCDMOS高耐压工艺，在内置高边MOSFET(非同步整流型*4)的非隔离型DC/DC转换器IC中，实现了业内超高的80V耐压等级，从而可以使安全工作范围更宽。

　　与同等输出电流的普通产品相比，耐压成功地提高了约20%，不仅在5G通信基站和服务器等的48V主电源系统中，而且在电池日益大型化的电动自行车和电动工具的60V电源系统中，都拥有足够的余量应对突发性的浪涌电压，因此有助于提高应用产品的可靠性。

　　制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:2.7 A Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Qg-栅极电荷:6.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:800 mW 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 P-Channel 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:10 S 下降时间:22.2 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:46.5 nS 典型接通延迟时间:12.5 ns 单位重量:8 mg

　　新型反激式开关IC具有优异的恒压/恒流精度，不受外围元件的影响，并且在具有输入电压检测安全保护功能的前提下，空载功耗仍然能够小于30mW。

　　根据输出的变化，器件具有多个欠压故障保护阈值，且具有迟滞恢复特性的初级侧过温保护特性。所有这些都可以为这些电源设备提供完善的保护。

　　对有源箝位的变频非对称控制，进而实现智能的零电压开关的方式来实现的，同时可以兼容非连续和连续导通两种工作模式，从而极大地提高了设计的灵活性，并在整个工作范围内实现了效率的最大化。

关键词： ​输入电压检测安全保护功能的前提下空载功耗仍然能够小于30mW

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