单层芯片电容被广泛应用于电子对抗、雷达和卫星通讯等方面，具有量大面广的特点。随着科学技术的不断进步，对于单层芯片电容的质量可靠性提出了更高的要求。目前，用普通方法制备的单层芯片电容普遍存在失效率高、合格率低、可靠性低的缺陷。特别是在制备过程中，陶瓷制备气孔缺陷、陶瓷金属化过程附着力小和切割过程带来基体机械损伤等缺陷，严重影响了产品的可靠性，难以满足客户的需求。

　　将用于基片清洗的洗片盒子用去离子水洗净;将陶瓷基片放入洗片盒子中，用无水酒精进行清洗。超声波电压调为150±50V，清洗时间为20±2min，之后用棉签轻轻擦拭陶瓷基片;再放入超声波清洗机中进行用清洗剂(浓度为5%)清洗，超声波输出电压调150±50V，清洗时间为20±2min，必须浸没所有基片;最后，用去离子水清洗20±2min，在加热至100±3℃的水浴炉中清洗。清洗完毕后，将基片取出。

　　将平整的陶瓷基片粘接在蓝膜上，设置主轴的转速和切割速度进行切割。其中，主轴转速设置为26000~34000转/分，切割速度设置为0.3~0.8mm/s;切割时先进行小样切割，依据小样产品电性能进行切割尺寸参数调整，提高产品的命中率。切割后剔除边角料;用酒精脱水，采用70℃~150℃的温度，烘干时间设置为30min。

　　在陶瓷金属化过程中，采用全溅射方式，减少了电镀工序带来的影响。